世纪大厦顶层的阳光似乎比别处更为纯粹，它穿透巨大的落地窗，在昂贵的红木办公桌和光洁的地板上投射出明亮的光斑。
办公室里，那枚改变了移动存储格局的黑色小方块，世界上第一块U盘，正静静地躺在陆阳的掌心。
它的分量极轻，不过拇指大小，掂量不出几克重量。
但在陆阳眼中，它却重逾千钧。
这不仅意味着刚刚到手的朗科公司80%控股权，更代表着未来滚滚而来的专利金流和一个即将被颠覆的存储时代。
闪存技术，并非横空出世的新鲜事物。
它的理论基石，可以追溯到遥远的1967年。
位于北美新泽西州的贝尔实验室，两位亚裔科学家施敏和江大原，如同在混沌中点燃文明火种的先贤，他们发明了浮栅MOSFET，也俗称金属氧化物半导体场效应晶体管。
这项看似深奥的基础研究，如同为一座宏伟建筑打下了坚实的地基，为后来闪存芯片的诞生埋下了决定性的伏笔。
时间推移到1984年，技术的种子在东瀛岛国破土萌芽。
东芝公司的舛冈富士雄博士，首次提出了基于浮动栅（FloatingGate）概念的全新半导体存储技术，并赋予它一个响亮且形象的名字——“闪存”（FlashMemory）。
这一命名，源于其擦除数据时在瞬间像闪光一样完成的特性。
四年后，1988年，科技巨头英特尔将理论推向商业现实，推出了世界上首款商用NOR型闪存芯片，标志着闪存技术正式走出实验室的象牙塔，踏入了实际应用的广阔天地。
然而，在1999年的此刻，早期的NOR和稍后出现的NAND闪存，尽管已经应用于如主板BIOS、打印机墨盒芯片、小型嵌入式设备等特定领域，却始终未能撼动当时主流的移动存储格局。
Zip和MO磁光技术凭借相对较大的容量和还算稳定的性能，仍是市场的主流宠儿。
它们笨重、读写速度慢、对环境要求高，如MO盘需要专用驱动器且怕磁怕震，但确实暂时满足了用户对大容量移动存储的需求痛点。
真正的革命，正是始于眼前成
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