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第一百五十八章 大为震撼![2 / 6]

默没有急着开口,目光平静地看着钱学明,微微点点头,

“钱先生,你刚刚说的这些,我都赞同。“

林默笑呵呵的开口,并没有马上反驳,他太知道CMOS工艺在后世是有多么普及了。

“CMOS功耗低,集成度高,静态功耗几乎为零,做出来的芯片确实比双极型和NMOS更适合大规模集成。”

“理论上,同样的芯片面积,CMOS可以集成比NMOS多将近一倍的晶体管,这些优势,决定了CMOS一定会是未来的主流方向。“

钱学明的眉毛挑了一下,听着如此专业的分析,他眼神里的防备稍稍松了几分。

然而,下一秒,林默话锋一转。

“但是钱先生,作为搞技术的人,不能只看优势,不看问题,CMOS有它的优点,但它的缺点同样致命,您怎么解决那些瓶颈?“

“多的我就不说了,我就举几个例子。”

“第一就是速度。“林默一字一句的说道,

“CMOS的速度远远比不上TTL电路,双极型晶体管的开关速度天生就快,CMOS靠的是电压驱动,充放电过程本身就存在延迟。“

“一个标准CMOS反相器的延迟时间在几十纳秒级别,而同样工艺的TTL电路可以做到几纳秒甚至更低。”

“对于需要高速运算的计算机,通讯设备来说,速度慢就是死穴。”

“这个问题如果不解决,CMOS永远只能用在手表,计算器这些低功耗但低性能的领域。“

听到这里,钱学明脸色变了变。

林默说的不错,这确实是目前业内最致命的问题之一。

接着,林默没有停顿继续开口:“第二就是栓锁效应。“

“CMOS结构里同时存在NMOS和PMOS两种器件,衬底和阱之间会形成寄生可控硅结构。”

“一旦触发,会导致芯片功能混乱,无法正常工作,严重的甚至会烧毁芯片。”

“这种效应在抗辐照环境下尤其明显,如果用CMOS做军用或者航天级芯片,不考虑栓锁效应,那跟自杀没什么区别。“

“第三,制造工艺。“

“CMOS需要在同一块衬底上同时制造NMOS和PMOS两种器件,这意味着掩模层数

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