隧穿效应实现。
浮栅技术用隧穿效应，而电荷俘获技术在使用超薄氧化层，也会应用氧化层直接隧穿，在氧化层与氮化层复合介质层产生隧穿效应。
而非门型则是基于可擦除可编程只读存储器结构的闪存，擦除也采用隧穿效应实现，写入则采用了沟道热电子诸如方式。
逻辑门电路闪存具有成本优势，所以主要用于数据的存储，而非门型闪存则是因为计算机执行程序方法的特性，主要用于代码的存储。
王多鱼飞快地来到了哈工大存储器项目办公室，见到了早已等候多时的奚广安等人。
“快快快，让我看看.”
对于这样的新技术，王多鱼比任何人都要着急，因为这是哈工大能否在存储器领域，跟东芝公司、英特尔等巨头争锋的关键。
“王教授，在这里”
奚广安将他们实验室研发出来的逻辑门电路闪存技术，逐一演示给王多鱼看。
后者看完之后，确认了所有的技术，当即便宣布道：
“恭喜你们，奚老师，你们辛苦了，我之前许诺给你们的项目奖金，明天就会下发到你们手上”
“同时我会跟书记他们申请，给你们举办一次内部嘉奖大会，存储器项目和光盘存储器项目集体成员都参加”
此话一出，整个实验室掌声雷鸣，大家都激动坏了。
盼星星盼月亮，王多鱼总算是盼来了技术，而奚广安他们也终于可以松一口气了。
聊完奖励的事情，王多鱼马上就又说道：
“你们接下来的任务依然十分艰巨，我跟你们说过了，还有非门型闪存技术，你们也必须要尽快拿出来，建立我们哈工大的专利技术壁垒.”
在存储器项目成立之前，日本东芝公司的舛冈富士雄博士就已经申请了一个叫做SimultaneouslyErasableEEPROM的专利，这玩意儿的绰号就叫闪存。
这是一种快速擦除的EERPOM，EERPOM也就是电可擦写可编程只读存储器结构，这项技术其实就是非门型闪存技术的前身。
换句话说，东芝公司的这个专利并不完整，不是成熟的技术。
而奚广安他们现在研制出来的逻辑门电路闪存技术，在原时空当中，东芝公司要到一九八七年才实现。
也就
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