“不算吧，去年就有了，概念还要更早一些，不过去年是用在微电子芯片上，用在电力电子芯片上，这是首创，其结构和微电子芯片上的有些不同。”
高总工真是见多识广，崔总工笑道：“高总，你这博闻强识，触类旁通的本事，我是真没有。这么新的技术，你已经能消化吸收，开辟新路了。”
“消化吸收倒不用，去年就是我用在微电子芯片上的，1274生产的那些集成电路，里面就用到这东西了。”
MOSFET，金属氧化物半导体场效应管，20年代就提出概念，花旗佬是搞了几十年，多个公司一起搞，包括RCA、贝尔实验室等等，60年开始申请专利，62年造出有实用意义的实物，63年获得的专利。
不过有了高振东，情况就变了。
这货在61年就直接把PMOS搞进了成熟的集成电路里，而花旗人62年做出来那东西只是实现了想法，速度慢得一批，初期并不具备使用价值。在这个背景下，很多事情就有了变化，而且相关的一些工作，也在随之进行，至少半导体发展史的史料，会有一些变化。
不过MOS和MOSFET是有区别的，后者更细分一些，至于知识产权这些蛋，高振东就不去扯了，有人负责。
他现在准备搞的就是MOSFET，利用MOS（金属氧化物）技术研究开发的FET（场效应）管，未来数十年小功率电力电子器件的王者，没有之一。
高振东轻描淡写一句话，把潘厂长崔总工他们噎得说不出话来，原来还是你？
难怪他这么信心十足的，原来其他地方用过类似技术了。
“那另外一种大功率的呢？”崔总工问道。
“那种大功率的，和可控硅有关，但是又不全一样，有一个非常重要的新特性，能自主关断。”
这个时候，1218的同志意识到了问题的严重性，高总工给的实在是太多了。
吃不完，根本吃不完。
两种类型的光耦，加上一个小功率的MOSFET，对于1218厂来说，已经是非常的吃力，再加上一个新型可控硅，完全超出了他们的能力范畴。
潘厂长想了想，很小心的道：“高总工，这个东西，我们是不是再叫一个单位过来？”不行了，得
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