也在仿制国外的可控硅器件，并且有了一些成果和产品可以用。
要不然高振东搞计算机，那个电源恐怕没那么容易搞得那么小。
不过要说技术先进性这个事情嘛，和高振东开始搞计算机时候的微电子技术一样，基本上就不要考虑了，能仿制好，就已经是我们的同志努力工作的结果。
而且现在别说我们，全世界的功率半导体，都有一些绕不开的问题，要不然高振东也不会想着搞新元件。
功率半导体？难道是可控硅？
作为半导体厂的总工，崔总还是对这些东西有所了解的。
“高总，你是指的可控硅是吧？那个东西，我们有几个单位在搞，西北的整流器厂，松江的整流器研究所，还有京城的电子院一个研究室，都在搞这个。”崔总提醒高振东道。
高振东笑道：“有这么多单位在搞？那我还真不清楚，不过没关系……”
现在有多少单位在搞，高振东还真不清楚，不过对他来说，问题不大。
“我们搞几个新器件，和以前都不同的那种。”高振东说出了自己的目的。
虽然不知道有多少单位在搞，但是对于电力电子器件的发展过程高振东还是知道的，他准备搞的几个器件，在这年头都还没有诞生。
这几个器件，也是高振东花了一点时间，在众多电力电子器件中挑出来的，毕竟精力和资源有限，他不可能什么都搞，所以他想尽办法，多方权衡，挑选了这几种出来。
挑选的标准也很简单，要能尽力涵盖尽可能多的应用场景，而且成果的生命周期要尽可能的长，每类器件，要用几十年都不过时的那种，而且技术要求不能太高，能符合当前的技术环境。
这工作，可把高振东给折腾够呛，哪怕他当年电力电子考得很不错，但是重新回忆起各种器件的特性、使用范围、生命周期、技术难度，并进行综合比较，还是让他花了至少一天时间！
一天呐！
作为仅仅是分析对比来说，对于高振东已经是花了大本钱了。
抛开太过遥远，要求过高的MCT、SIT、SITH、IGBT、IPM、IEGT、VDMOS这些货不说，就只是比较近的ASCR（不对称晶闸管）、TRIAC（双向晶闸管）、RCT（逆导
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