啪作响，现场人员的心情反而安定下来，从刚才他们测量中报的数来看，这个结果差不了。
随着最后一个数据输入完毕，马娟启动了编译-运行指令。
算法过于简单，没有带来任何调试上的麻烦，很快，屏幕上就跳出了一个数字。
编过临时程序的人都懂，怎么简单怎么来，这个数字甚至不带任何单位。
“1.97”。
其实小数点后一位就够了，那个没有写出来的单位，是μm。
2μm！
虽然早有所料，但是当这个数字跳出来的时候，高振东还是哈哈大笑了起来。
“哈哈哈……好！太好了！”
这个套刻精度，已经超出了当前所需，PMOS套刻次数少，其实不严格的说，10μm的分辨率下，5μm的套刻精度都是够用的。
现在，高振东可以直接宣布，我们的第一代PMOS工艺集成电路，线宽是10μm。
这个线宽听起来不咋样，但是举个例子就知道它的用处了，DJS-59的原型，那片金色的C8008，它的工艺就是10μm-PMOS！那一小片芯片上，晶体管数量是6000+。
而首个4Kbit（512Byte）的DRAM，工艺是8μm-NMOS，虽然是NMOS，但是并不意味着只有NMOS才能用于DRAM。PMOS和NMOS的最大区别是开关方向相反，而且NMOS开关速度比PMOS要快2.5倍左右。
但是这是61年，PMOS慢点又不是不能用。
可惜那两片芯片出现的时候，高振东还没法锁定兑换的能力，但是这没有关系，还是那句话，行业初期，主打一个简单凑合能用就行，设计的核心难度不大。
DJS-59的晶体管的电路，其实基本上和C8008内是一模一样的，现在高振东要做的，就是把这个结构还原到光刻掩模上去。
不过这是个力气活儿，高振东一个人是搞不成的，太浪费时间了，这个事情，可就落在京城工大这一届的部分大四学生头上了。
原本高振东的考虑是光刻机不敢太乐观，初期预计是50μm左右，后来看到三轧厂的老师傅和东北光学所如此给力，才把SZ61XXX系列芯片头三片改为了20μm。
现
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