的体积基本上是一致的，换支滴管也是一样，只要是正常的滴管都一样。
多余的光刻胶会被旋转的硅片给甩出去的，这也是旋涂的优点。
马娟往旋转的硅片中心滴了一些光刻胶，光刻胶很快随着旋转，沿着硅片表面匀开来，非常均匀，仿佛不存在一样。
这也是托光刻胶和硅片的粘附性很好的福，否则在上光刻胶之前，还得上一遍衬底，以加强光刻胶的附着。
硅片缓缓停止旋转，此时，工件台再次开始对硅片进行加热，这是在固化光刻胶。
固化完成后，马娟开始按动电钮，调整工件台，将硅片置于光学系统下的合适位置。
虽然高振东要求东北光学所的同志搞的是160mm直径的投影范围，不过考虑到拉晶的成品率，以及光学系统的最大畸变出现在最边缘的原因，现在还是将硅片的规格定在了130mm，也就是大概5英寸的样子，不过这是我们的原生工艺，自然就不会用英寸作为硅晶圆的计量单位。
作为最早最原始的光刻机，高振东使用的却并不是最原始的接触式光刻，这种方式硅片和掩模直接接触，分辨率比接近式要高。
但接触式光刻，硅片上的光刻胶或者个别灰尘，会污染和损坏掩模，用来搞研究可以，搞批产不太好。
他跨过接触式光刻，使用了接近式光刻，实际光刻的时候硅片和掩模之间有一个极小的距离，在10μm这个数量级，这样就可以避免掩模的损坏了。
坏处嘛，接近式光刻的分辨率比接触式的要差，最好的情况，大概在2μm的样子，这对于高振东现在来说是够用的。
使用接近式光刻，掩模和工件是分开的，这对于搞自动化光刻是有利的，这就是高振东将掩模放进光学系统的原因，掩模在光学系统里基本不动，运动的是工件台。
找平之后，工件台控制硅片向掩模接近，最终达到设计中所设定的距离——20μm。
这一次不用太过仔细的对齐，因为是第一次刻，严格对齐是套刻的事情，如果是套刻，还需要对齐套刻标记。
接下来就是曝光、显影，听起来和胶片机摄影差不多，实际上原理也基本上一致。
显影完毕，马娟开始用显微镜检查成像质量，耗时很长，估计
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