高并没有什么用处，这不是模拟电路，要求大不相同。
再说了，双极型的元件精度高，也只是相对MOS来说的，真实差距甚至连五十步笑百步都算不上。
要说在集成电路设计阶段成本低，在这個阶段就是个伪命题，人力成本在这时候不怎么算的。
MOS还有一个毛病是某个芯片一旦定型后，修改困难，修改成本很高。
但对于高振东要做的事情来说，这个根本就不是问题。
作为大规模使用的芯片，不论是逻辑门集成电路还是CPU、DRAM，都是定型了就不会随便修改，会大量量产的东西，所以这一点在这方面根本就不是问题。
最重要的一点是，高振东清楚的知道，打从CPU和半导体存储器一开始，就没有双极型什么事儿，双极型做集成逻辑门电路是不错，但是用来做CPU和半导体存储器，根本用不上。
或者说，在这方面，从技术和经济角度出发，人们都从来没有青睐过双极型半导体。
Intel4004，10μm的PMOS。
8008，10μm的PMOS。
首个4Kbit的DRAM，8μm的NMOS。
首个16Kbit的DRAM，5μm的NMOS。
大名鼎鼎的8086/8088，3μm的NMOS。
彻底巩固了Intel数十年基业的80286，1.5μm的CMOS。
至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了MOS技术，那就不得不说MOS的优点了。
这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！
抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以PMOS和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。
PMOS外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。
而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。
工序更少、工艺更简单、良品率更高
对于量产来说，这些特么可都是钱呐！
而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。
两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在晶体管的工作原
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