确，连技术路线都给说得明明白白的要求文件。
甚至光交联型这种，他们也是看了要求文件里面的解释才搞清楚是个怎么回事儿。
要是所有的需求方都像这一家这样就好了，化学研究所的同志美滋滋的想，还能学东西！
其实这是高振东没办法，他不知道现在到底哪一种能搞成，总之65年这东西是有的，干脆把几种常见的光刻胶的路线都给写了上去，你做出来哪种算哪种，无非就是正胶负胶的区别，都能用。
一个技术刚兴起的时候，自由度是最大的，不用考虑太细节的东西，而且配套技术不用考虑技术路线的差别带来的性能差异，因为要求还没高到那份上，大概就是能用就行，整出来就算本事。
像日后光刻技术那一大堆高级技术在这个年代都不用考虑，根本用不上，也没条件用上。
搞个10微米~100微米的光刻，就想着把浸润光刻、多重曝光、EUV光源这些弄上来无疑是吃饱了撑着了。
且不说这些美滋滋的配套厂所，高振东自己，正在和厂里的一堆八级工研究工件台的事情，虽然不搞多重曝光，但是套刻还是需要的，工件台的定位精度还是要考虑。
套刻，就是把多个图形分多次刻到同一工件上，形成一个完整的图形。
如果只是刻一次，那倒不需要管套刻精度，只要保证光的投射范围都在晶圆上以及光投影精度即可，可是在集成电路工艺里，是要分很多次光刻，来形成不同结构，而且这些结构之间又有电路连接，所以套刻精度还是要保证的。
至于双工件台，就先扔一边了，一个工件台还没搞利索呢，想那么多是给自己找麻烦。
“高总，你这个东西的定位精度要半丝？”一群老八级工有点嘬牙。
1丝，从机加工的角度，等于10微米，半丝，5微米。
高振东点点头：“嗯，先不考虑移动定位精度，就考虑两个工件固定时定位的相对精度就可以。”
如果微缩投影还没搞通的话，那移动定位精度就意义不大，因为不需要在晶圆上一个芯片一个芯片的刻，而是一次性投影出整个晶圆的图像，这种情况下，哪怕套刻，主要考虑的也就是模版、晶圆固定时的相对位置精度了。
之所以一开始
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