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第182章 单晶到底怎么造(3k)[2 / 4]

法和你说的区熔法。”

实际上哪怕到了几十年后,半导体用硅单晶的生产方法还是以这两个为主,其中直拉法占了75%左右的产量。

听见高振东肯定了自己的想法,俞允成心里很有几分窃喜。

然后高振东就告诉了他为什么一开始不做区熔法:“但是从这两个方法来看,适应范围最广、晶体直径最容易做大、技术更简单的,是直拉法。”

俞允成对于区熔法有所了解,但是对于区熔法的原理和具体实现方法是不了解的,大概就处于闻名但是但未见面的程度。

“高主任,区熔法具体一点是个什么回事呢?”

高振东干脆把区熔法的原理向俞允成介绍了一遍。

简单来说,直拉法是把硅在锅里烧化,然后往上拉晶。

区熔法则是把硅棒吊起来,把下端烧化,然后往下拉晶。

俞允成听见了有些惊讶:“啊,这样啊,好像是比较难控制。”

不愧是搞这个的,一听就明白,高振东笑道:“对,这个方法熔化的硅液主要靠表面张力维持不掉落,所以直径想做大,比直拉法要困难,同时整个拉晶过程的可控性差,容易导致晶体结构缺陷。”

俞允成明白了:“嗯,看来选择技术路线不能光靠单一指标,还是要综合考虑的。”

高振东笑道:“说对了,对于现在来说,直拉法的缺陷是可以通过设计手段来弥补或者削弱的,比如增加石英内坩埚。而它的好处却是实实在在的,我们不是搞理论研究,理论研究可以只盯着高处,我们搞的是应用研究,还是要看看周围。”

俞允成更加明白了:“啊,我还奇怪为什么要多此一举在石墨坩埚内再套一层石英坩埚呢,原来是我没考虑周全。”

高振东道:“对于我们现在的需求来说,区熔法的好处实际上是用不怎么上的,但是坏处却是实实在在的存在。而直拉法生产效率高,自动化生产技术难度低,更容易控制掺杂浓度,更容易制备大直径单晶,这些可都是我们现在急需的。”

半导体器件用的单晶体,基底的掺杂本来就是常用工序之一,在这一点上,直拉比区熔可就方便多了。

说完,又补充了一句:“等到直拉的有眉目了,再去搞区熔,毕竟区熔也有它的好处。”

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