的电子迁移率，内层核心则专注于优异的散热和稳定性。通过精确控制沉积过程中的原子排列和能带工程，我们实现了在近乎室温的条件下进行大面积、低缺陷率的生长，这直接将制造成本压低超过40%。”
最前排有个芯片行业教授忍不住上前一步，眼中精光爆射：“室温制备？低缺陷率？这……这简直是对现有半导体制造工艺的降维打击！江南，你是如何解决不同材料界面处的晶格失配和应力问题的？”
“通过引入一种自组装的单分子层作为缓冲和过渡，”江南利落得点头回应，随即当场调出一系列复杂的分子动力学模拟数据和电镜图像。“它就像智能的‘粘合剂’和‘应力调节器’，不仅能完美适配不同晶格常数，还能主动‘修复’生长过程中产生的位错。这部分的具体合成路径和模拟算法，我已经整理在论文附录里。”
那位教授震惊得低语：“光是这项材料技术，就足以单独开辟一个诺贝尔奖级别的领域了，这简直是奇迹……”