埃，任何微量金属污染就等于漏电流暴走。
国产直拉CZ硅当前纯度勉强够双极性/NMOS实验，用于高质量CMOS需要的超低氧、超低金属杂质、无位错单晶，根本拉不出合格的大直径单晶棒。
第四点是：CMOS需要精确控制p-well掺杂剖面。理想做法是用离子注入机，能量和剂量可控。
华夏有少量仿制和进口的离子注入机，但有巴统协议在，想也知道，外国人给华夏的都是落后的产品。
束流均匀性、剂量精度、晶圆级自动化远不够量产。
靠传统热扩散凑合的话，横向扩散不可控，直接导致沟道长度一致性崩掉，最终致使Vt分布宽得像撒胡椒面。
画面糊成那样还监控什么？一点意义都没有。
这是目前能降低成本的最大头，也是不想花钱就必须克服的地方。
夏黎又在图纸上圈了另外一个位置，将原本的耗材一栏，改写成SD卡或硬盘。
目前记录影像的方案是，使用一台昂贵的时延录像机和大量耗材录像带。
可这种方案后期可能不用消耗太大，但首年的消耗大约是5.6万元。
而他们现在恰恰最缺的就是第一年的钱。
夏黎想了想，在后面标注：数字压缩与闪存技术用H.264等算法将视频数据量压缩上百倍，存储在指甲盖大小的廉价SD卡或硬盘上。
能做出来的前提下，这种成本大约只有40元左右。
听着挺好的，五六万元直降到40块钱，还是后世大家都听过，甚至是花十几二十块就唾手可得的SD卡。
可这玩意的技术难题比之前的还要大。
SD卡=NAND闪存芯片+控制器芯片+微小封装+标准化接口协议。
目前这4种技术华夏一个都没有。
如今是1980年末，别说是华夏了，就算是世界上，Flashmemory这种技术都压根还不存在。
闪存之所以叫“Flash”，是因为块擦除快得像相机闪光灯，现在的技术根本达不到。
也别说达不到，人家之前英特尔在做广告，人家确实也有了这种闪存技术，只不过内存有点感人，只有2KB。
后世的水果手机随便在家里拍一张猫，这张5712×4284的照片内存都需要2.
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